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关键词
Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
作者： 李翠云   朱华   莫春兰   江风益   来源： 半导体学报 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN   DCXRD   位错   Si衬底   LED   TEM  
描述： 和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.
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