Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构

【类型】期刊

【作者】李翠云 朱华 莫春兰 江风益 

【刊名】半导体学报

【关键词】 GaN DCXRD 位错 Si衬底 LED TEM

【资助项】国家高技术研究发展计划资助项目（批准号:2003AA302160）

【摘要】用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.

【年份】2006

【期号】第11期

【页码】1950-1954

【作者单位】南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心；南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心　　南昌；景德镇陶瓷学院

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