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根据【作者:李翠云】搜索到相关结果 17 条
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压电陶瓷在声速测量中的应用
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作者:
李翠云
朱华
李蔓华
来源:
中国陶瓷
年份:
2003
文献类型 :
期刊
关键词:
换能器
超声波
压电陶瓷
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描述:
本文论述了压电陶瓷在声速测量中的应用,阐述了几种测量超声波波速的方法.
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Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
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作者:
李翠云
占腊生
来源:
电子显微学报
年份:
2011
文献类型 :
期刊
关键词:
GaN
位错
Si衬底
TEM
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描述:
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。
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ZnO薄膜材料的缺陷和光谱特性
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作者:
李翠云
曹俊
来源:
陶瓷学报
年份:
2011
文献类型 :
期刊
关键词:
结构缺陷
ZnO薄膜
发光谱
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描述:
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但ZnO薄膜中存在各种缺陷,它们是制约ZnO发光性能的一个关键因素。本文在查阅文献的基础上,总结了ZnO薄膜材料中可能存在的缺陷和发光谱特性,并就缺陷对发光性能影响的研究现状做了综合评述。
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密立根油滴实验中油滴选取探讨
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作者:
李翠云
来源:
江西科学
年份:
2011
文献类型 :
期刊
关键词:
密立根油滴实验
油滴选取原则
带电荷数
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描述:
在密立根油滴法测量电子电量实验中,油滴的选取是影响实验结果的一个重要因素,通过油滴的下落时间和平衡电压的等电荷数的多重曲线,以及实验操作误差的分析,探讨了密立根油滴实验油滴选取的原则,从而为正确选取油滴提供了理论依据。
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Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
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作者:
朱华
李翠云
莫春兰
江风益
张萌
来源:
半导体学报
年份:
2008
文献类型 :
期刊
关键词:
MQW
位错
Si衬底
SEM
TEM
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描述:
用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.
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低电阻测量中的接触电阻
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作者:
朱华
李翠云
来源:
大学物理实验
年份:
2003
文献类型 :
期刊
关键词:
双电桥
接触电阻
四端扭接法
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描述:
本文采用两种实验方法对比测量可知通常的导线连接其接触点的电阻 ,并由此进行分析 ,阐述在双电桥测量低电阻实验中四端扭接法的必要性。
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鄱阳湖洪水灾害与太阳活动周期相关性研究
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作者:
占腊生
袁文亮
闵骞
李翠云
来源:
天文研究与技术
年份:
2009
文献类型 :
期刊
关键词:
鄱阳湖
洪水灾害
太阳活动
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描述:
鄱阳湖是洪水灾害频发地区,1755年至2008年,共计23个太阳活动周的254年内,鄱阳湖发生洪水年份101次,发生洪水的比率为39.76%,平均每个太阳活动周期内发生洪水4.39次。鄱阳湖发生洪水的频次与太阳活动磁周期无关。太阳活动极期发生鄱阳湖洪水的概率较高,在太阳活动极大期和极小期发生洪水的概率分别为47.82%和60.86%,在同一太阳活动周期内极大期和极小期同时发生洪水的概率较小。一般情况下不会出现连续三个极期都发生洪水的现象,若不考虑太阳活动极期的洪水发生次数,太阳活动周下降期发生洪水的概率最小。
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校准电表的一种方法
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作者:
李翠云
朱华
来源:
大学物理实验
年份:
2003
文献类型 :
期刊
关键词:
电位差计
准确度等级
电表
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描述:
利用电位差计的高精度,设计出合理的实验电路对C31型电表进行校准,使得电表的准确度等级得以提高.
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陶瓷窑炉用高精度温度测量仪的研制
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作者:
李蔓华
肖任贤
朱庆霞
李翠云
来源:
中国陶瓷工业
年份:
2003
文献类型 :
期刊
关键词:
温度测量
仪器
软件补偿
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描述:
研制了一种可直接测量热电阻和热电偶输入的高精度温度测量仪,介绍了它的硬件和软件构成,研究了前置放大电路的设计和测量数据的软件非线性补偿方法,实际应用表明,该测量仪具有较高的测量精度.
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Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
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作者:
李翠云
朱华
莫春兰
江风益
来源:
半导体学报
年份:
2006
文献类型 :
期刊
关键词:
GaN
DCXRD
位错
Si衬底
LED
TEM
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描述:
和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.