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- p型GaN上透明电极的研究现状
- 作者： 董建新 方亮 张淑芳 高岭 孔春阳 来源： 真空科学与技术学报 年份： 2007 文献类型 ： 期刊 关键词： 透明电极 欧姆接触 GaN 透明导电膜
- 描述： GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明.
- Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
- 作者： 李翠云 占腊生 来源： 电子显微学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN 位错 Si衬底 TEM
- 描述： 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。
- Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
- 作者： 李翠云 朱华 莫春兰 江风益 来源： 半导体学报 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN DCXRD 位错 Si衬底 LED TEM
- 描述： 和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.
- Si衬底生长InGaN/GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析
- 作者： 朱华 李翠云 来源： 中国陶瓷 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： 选区电子衍射花样 GaN 衬度 高分辨透射电子显微像
- 描述： 文章对Si衬底GAN基OaN/InOaN多量子阱TEM薄膜断面样品制备给予了详细介绍,并对其TEM衍射衬度像、高分辨透射电子显微像及选区电子衍射花样成像条件及其衬度进行了分析.