- 站内检索
- 发现检索
全部
图书
期刊
按文献类别分组
按来源分组
关键词
- 基于应变梯度塑性理论的纪念币压印成形数值模拟
- 作者： 易国锋 李巧敏 钟文 柳玉起 来源： 中国机械工程 年份： 2018 文献类型 ： 期刊 关键词： 纪念币 Taylor位错模型 尺寸效应 压印成形 应变梯度塑性
- 描述： 为了准确体现纪念币压印成形工艺中由于精细浮雕导致的尺寸效应,从Taylor位错模型出发,基于应变梯度塑性理论,建立了压印成形的本构方程。采用纳米压痕试验,获得了Ag999的材料内禀尺寸以及统计存储位错密度和几何必须位错密度的非线性耦合关系。将建立的本构方程用于计算某钥匙纪念币压印成形过程中的压印力变化曲线,并与试验结果进行对比,结果表明,建立的本构方程能够体现压印成形工艺中的尺寸效应,可有效改善压印力的预测精度。
- Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
- 作者： 李翠云 占腊生 来源： 电子显微学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN 位错 Si衬底 TEM
- 描述： 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。
- Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
- 作者： 朱华 李翠云 莫春兰 江风益 张萌 来源： 半导体学报 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： MQW 位错 Si衬底 SEM TEM
- 描述： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.
- Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
- 作者： 李翠云 朱华 莫春兰 江风益 来源： 半导体学报 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN DCXRD 位错 Si衬底 LED TEM
- 描述： 和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.
- 板条状马氏体的亚结构及形成机制
- 作者： 刘宗昌 计云萍 段宝玉 任慧平 来源： 材料热处理学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： 表面浮凸 位错 切变 层错 板条状马氏体
- 描述： 研究马氏体亚结构及形成机制具有重要理论意义和应用价值。应用35CrMo等材料,淬火为马氏体组织,采用JEM-2100电镜观察马氏体形貌和亚结构,发现35CrMo钢马氏体为板条状,亚结构除了高密度缠结位错外,还有高密度层错。结合2Cr13、Fe-15Ni-0.6C合金试样的浮凸试验,应用隧道扫描显微镜观察表面马氏体浮雕形貌,测定浮凸的微细尺寸。综合上述试验结果,分析位错、层错形成机制。发现浮凸效应中没有出现位错滑移迹象,认为切变模型不能解释高密度位错和层错的形成。最后应用马氏体相变新机制分析了高密度缠结位错、精细层错的形成。