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- 矩形大定源回线TEM法全区视电阻率在煤田采空区勘探中的应用
- 作者： 韩自强 刘涛 欧阳进 罗姣 来源： 地球物理学进展 年份： 2015 文献类型 ： 期刊 关键词： 全区视电阻率 边界效应 采空区 TEM
- 描述： 大定源回线TEM法在煤田采空区勘探中发挥着重要作用.利用偶极子合成回线源方式和二分法计算大定源回线TEM全区视电阻率时,误差函数计算十分耗时.研究发现用自变量复杂化的双曲正切函数近似误差函数,不仅计算速度快,而且精度满足要求,方便了大量实测数据快速全区视电阻率计算.理论模型计算结果验证了该方法的正确性.对实测采空区大定源回线TEM数据进行全区视电阻率处理,结果基本消除晚期视电阻率存在的"边界效应",在早期道不存在晚期视电阻率假高值,接近地表真实电阻率,对近地表局部异常有较好反映,对探测埋深较浅的积水小煤窑具有重要意义.
- Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
- 作者： 李翠云 占腊生 来源： 电子显微学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN 位错 Si衬底 TEM
- 描述： 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。
- Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
- 作者： 朱华 李翠云 莫春兰 江风益 张萌 来源： 半导体学报 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： MQW 位错 Si衬底 SEM TEM
- 描述： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.
- 明清以来景德镇低温黄釉的初步研究
- 作者： 郑乃章 吴军明 吴隽 孙加林 来源： 建筑材料学报 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： 透射电镜（TEM） 景德镇 EDS） 能谱（EPMA 电子探针 低温黄釉
- 描述： 采用透射电镜(TEM),电子探针-能谱(EPMA-EDS)组合等仪器对不同年代景德镇低温黄釉瓷片的组成、结构进行了分析.结果表明:除民国样品外,历代黄釉的化学组成无很大变化,且均是以铁着色,不同的是在成化、弘治、正德和民国时期的样品中发现存在底釉,在民国样品表面黄釉中则发现有锑、锡元素存在;首次发现民国低温黄釉表面有Pb2Fe0.5Sb1.5O6.5晶体析出.
- 血栓抽吸前后冠脉注射替罗非班对STEMI行PCI术后预后的影响
- 作者： 何伟喜 徐慧琳 王丽君 来源： 医学理论与实践 年份： 2017 文献类型 ： 期刊 关键词： 替罗非班 STEMI 预后 血栓抽吸
- 描述： 目的:探讨急性ST段抬高型心肌梗死患者(STEMI)行急诊经皮冠脉介入(PCI)术中血栓抽吸前后冠脉注射替罗非班对预后的影响。方法:选取我院2015年3月-2017年1月收治的180例STEMI,均
- Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
- 作者： 李翠云 朱华 莫春兰 江风益 来源： 半导体学报 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN DCXRD 位错 Si衬底 LED TEM
- 描述： 和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.
- 全新阵容点亮西岸2016西岸 艺术与设计博览会
- 作者： Frank Qian 来源： 艺术界 年份： 2016 文献类型 ： 期刊 关键词： institutions 当代艺术作品 exhibition Artist BOOTH CONTEMPORARY 合作机构 装置作品 PARTICIPATION 波普艺术
- 描述： 第三届西岸艺术与设计博览会在上海西岸艺术中心拉开帷幕。今年,来自11个国家和地区的31家当代画廊参与本届博览会。本次展出的作品包括二十世纪后期至今最炙手可热的当代艺术作品,除画廊单元,全新的策划单元“ArtReview Asia Xian Chang”在展场内外多个区域展示来自亚洲和全世界领先和新晋艺术家的大型绘画、影像、雕塑和装置作品,由多个合作机构、艺术家团体共同推出