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Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
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作者:
朱华
李翠云
莫春兰
江风益
张萌
来源:
半导体学报
年份:
2008
文献类型 :
期刊
关键词:
MQW
位错
Si衬底
SEM
TEM
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描述:
用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.
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Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
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作者:
李翠云
朱华
莫春兰
江风益
来源:
半导体学报
年份:
2006
文献类型 :
期刊
关键词:
GaN
DCXRD
位错
Si衬底
LED
TEM
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描述:
和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.
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用生长/氢等离子体交替处理堆积层表面技术制备微晶硅薄膜
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作者:
曾涛
胡跃辉
陈光华
来源:
半导体学报
年份:
2007
文献类型 :
期刊
关键词:
微晶硅薄膜
光电导衰退
LBL生长技术
模拟光照
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描述:
利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导衰退率很大;当薄膜厚度为0.60~0.70μm之间时,样品兼备非晶和微晶的特点,在这一厚度范围内,光电导随薄膜厚度变化非常敏感,光电导衰退率较小;当薄膜厚度为0.80μm以上时,薄膜表现为明显的微晶硅性质,其光电导衰退率很小,通过模拟光照53.5h,其光电导几乎不变化.