Si衬底生长InGaN/GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析

【类型】期刊

【作者】朱华 李翠云 

【刊名】中国陶瓷

【关键词】 选区电子衍射花样 GaN 衬度 高分辨透射电子显微像

【资助项】国家高技术研究发展计划(863计划)

【摘要】文章对Si衬底GAN基OaN/InOaN多量子阱TEM薄膜断面样品制备给予了详细介绍,并对其TEM衍射衬度像、高分辨透射电子显微像及选区电子衍射花样成像条件及其衬度进行了分析.

【年份】2008

【期号】第11期

【页码】66-69,78

【作者单位】景德镇陶瓷学院机电学院,景德镇,333001

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