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关键词
Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
作者： 李翠云   朱华   莫春兰   江风益   来源： 半导体学报 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN   DCXRD   位错   Si衬底   LED   TEM  
描述： 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si
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