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关键词
Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
作者： 朱华   李翠云   莫春兰   江风益   张萌   来源： 半导体学报 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： MQW   位错   Si衬底   SEM   TEM  
描述： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似
Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
作者： 李翠云   朱华   莫春兰   江风益   来源： 半导体学报 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN   DCXRD   位错   Si衬底   LED   TEM  
描述： 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si
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