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- 宝鸡林家村出土西周青铜器和陶器
- 作者： 阎宏斌 来源： 文物 年份： 1988 文献类型 ： 期刊 关键词： 陶器 青铜器 陕西宝鸡 两两相对 衬底 西周 口径 渭河 上腹部 出土
- 描述： 1983年12月,陕西宝鸡县硖石乡林家村一农民在西距渭河北岸约200米的台地上,发现2件铜器和4件陶器。经调查,器物出自一座残墓的壁龛内。现介绍如下。铜簋 1件。侈口,敛颈,深鼓腹,高圈足下连方座
- Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
- 作者： 李翠云 占腊生 来源： 电子显微学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN 位错 Si衬底 TEM
- 描述： 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定
- Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
- 作者： 朱华 李翠云 莫春兰 江风益 张萌 来源： 半导体学报 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： MQW 位错 Si衬底 SEM TEM
- 描述： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似
- Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
- 作者： 李翠云 朱华 莫春兰 江风益 来源： 半导体学报 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN DCXRD 位错 Si衬底 LED TEM
- 描述： 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si
- 仿古建筑浮雕及墙龛的施工
- 作者： 麦筹伟 来源： 中华民居 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： 浮雕墙龛坤红衬底按钉玻化砖框边双组分大力胶活动鳞片
- 描述： 按照施工方案要求，结合现场及陶瓷产品实际，总结实际施工经验。