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- 低介低温烧结玻璃/钙长石复合绝缘材料的研究
- 作者： 顾幸勇 董伟霞 陈云霞 李月明 来源： 稀有金属材料与工程 年份： 2007 文献类型 ： 期刊 关键词： 低介电常数 CaO Al2O3玻璃/钙长石 复合材料 B2O3 SiO2 Li2O
- 描述： ,介电常数5.125,介质损耗2.48×10-3,抗折强度105.8 MPa,热膨胀系数(25～500 ℃)3.38×10-6 ℃-1.并研究了玻璃与钙长石加入量、显微结构等因素对材料性能的影响.
- Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
- 作者： 李翠云 占腊生 来源： 电子显微学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN 位错 Si衬底 TEM
- 描述： 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。
- Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
- 作者： 朱华 李翠云 莫春兰 江风益 张萌 来源： 半导体学报 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： MQW 位错 Si衬底 SEM TEM
- 描述： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.
- 22Ti-78Si高温共晶钎料对SiC陶瓷的钎焊连接
- 作者： 李家科 刘磊 刘欣 来源： 无机材料学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： 钎料 SiC陶瓷 组织结构 剪切强度 断口形貌
- 描述： 利用非自耗电弧熔融技术制备的22Ti-78Si(wt%)高温共晶钎料实现SiC陶瓷连接.采用SEM、材料试验机研究了工艺参数对钎焊接头的组织结构、强度和断口形貌的影响规律.结果表明:在钎焊温度1380~1420℃、保温时间5~20min、钎料厚度50~200μm条件下,均能实现SiC陶瓷连接,在1400℃、保温时间10min和钎料厚度100μm的条件下,SiC/22Ti-78Si/SiC接头剪切强度最大值可达125MPa.
- 无机溶胶凝胶法合成Sr_2MgSi_2O_7：Eu~（2＋）,Dy~（3＋）蓝色发光材料
- 作者： 王炳山 袁建军 刘文茂 来源： 材料热处理学报 年份： 2012 文献类型 ： 期刊 关键词： 丁二酸铵 水玻璃 柠檬酸三铵 溶胶凝胶 Sr2MgSi2O7
- 描述： 以价格低廉的水玻璃代替TEOS（正硅酸乙酯）作为硅源,分别在丁二酸铵、柠檬酸三铵辅助下,通过离子交换-溶胶凝胶法合成Sr2MgSi2O7：Eu2＋,Dy3＋蓝色发光材料。用DTA、XRD、荧光光谱等手段对材料进行分析和表征。结果表明：在丁二酸铵或柠檬酸三铵调节下,前驱体干凝胶煅烧到1100℃转变为高纯度的Sr2MgSi2O7相,其产物疏松,颗粒小,不需研磨或稍加研磨便得细粉;激发光谱在250～450 nm之间都存在一个强度较高的激发带,以柠檬酸三铵辅助得到的Sr2MgSi2O7：Eu2＋,Dy3＋蓝色发光材料发光性能较好,发射峰位于467 nm附近,余辉时间长。此外对溶胶凝胶的形成机理等进行讨论。
- 胶辊印刷用高温大红印花釉的研制
- 作者： 余国明 王勇 卢广坚 汪永清 来源： 中国陶瓷 年份： 2014 文献类型 ： 期刊 关键词： 印花釉 大红色 ZrSiO4包裹Cd(SxSe1 x)色料
- 描述： 针对目前市场尚无陶瓷装饰用的高温大红色印花釉,导致印刷图案的色彩不够鲜艳的问题,本文以ZrSiO4包裹Cd(SxSe1-x)色料为呈色剂研制胶辊印刷用印花釉。实验结果显示,快速球磨2 h可使市售
- 在石墨基体上制备耐磨的SiC镀层研究
- 作者： 张效华 胡跃辉 杨丰 辛凤 范跃农 曾庆明 陈义川 来源： 陶瓷学报 年份： 2012 文献类型 ： 期刊 关键词： 石墨基体 超硬耐磨 SiC镀层
- 描述： 在工业冶炼碳化硅(SiC)过程中,在石墨基体上制备具有耐磨特性的SiC镀层。讨论了SiC镀层的形成过程,采用X射线衍射仪(XRD)分析了SiC镀层的物相结构,采用隧道扫描电镜(SEM)分析了镀层的表面形貌。并分析了SiC镀层的硬度和耐磨特性。结果表明:镀层为高温稳定型α-SiC,同时伴有Fe3Si和SiO2杂相出现,SiC镀层的表面硬度达到了1120HV,磨损机制为颗粒磨损,具有较好耐磨性能。