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- 乳液法制备SiO2核壳结构复合材料的研究进展
- 作者： 陈云霞 程兰兰 施玮 曾涛 苏小丽 曹春娥 来源： 陶瓷学报 年份： 2017 文献类型 ： 期刊 关键词： 核壳结构 SiO2包覆 微乳液法 应用
- 描述： 本文简单介绍了合成SiO2包覆核壳结构复合材料的目的及微乳液法制备SiO2包覆的核壳结构复合材料的优缺点及原理。对微乳液法制备SiO2包覆的核壳结构复合材料的现状以及实际应用情况进行综述,在此基础上,对微乳液法合成SiO2系列核壳结构复合材料的发展前景做了讨论和分析。
- 清宫旧藏景德镇官窑明洪武瓷述略
- 作者： 黄卫文 蔡毅 来源： 文物天地 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： 核壳结构 SiO2包覆 微乳液法 应用
- 描述： 明洪武(1368－1398年)一朝是元明之际景德镇制瓷大发展过程中一个承前启后的重要历史阶段。文献记载、传世品及有关考古发现都表明，景德镇在洪武时期曾受命烧造过一定数量供宫廷使用的瓷器。洪武瓷不仅开明清两代官窑制瓷之先河，也为景德镇发展成为全国的中心窑场奠定了基础。现有资料表明，除国内考古发现的材料外，传世洪武瓷目前多零散地分藏于国内外众多博物馆中，而故宫博物院藏洪武瓷是目前世界上已知传世品中数量最多、最集中的一批藏品，特别是其多数藏品为继承自明代宫廷的清宫旧藏，无疑是我们研究洪武制瓷问题最具价值和说服力的传世资料。 一、故宫博物院藏 景德镇官窑明洪武瓷 故宫博物院现藏属清代宫廷旧藏的陶瓷类文物达31万多件。“清宫旧藏”是指故宫博物院建院之际点查接收的紫禁城内和1946年后并人故宫收藏的原古物陈列所保存的承德避暑山庄、沈阳奉天故宫两处的清官原藏文物。从故宫藏景德镇洪武瓷的入藏时间上看，除少部分为上世纪五、六十年代人院的外，大部分都是传承有绪的清官旧藏之物。早在1995年笔者之一的蔡毅先生在《文物》期刊上就介绍过其中的一些资料，并简要总结了院藏明代洪武瓷的工艺特点，近年故宫出版的文物图录中又相继发表了部分资料。
- Zn2SiO4结晶釉的粒度尺寸参数与热分析
- 作者： 张颁潮 江向平 李小红 江兴安 来源： 中国陶瓷 年份： 2016 文献类型 ： 期刊 关键词： Zn2Si O4 热力学 结晶釉
- 描述： 以钠长石、高岭土、石英、石灰石和煅烧的氧化锌为主要原料,Zn O为晶核剂控温烧结Zn 2 Si O 4 结晶釉。利用EDS能谱仪对样品的组成含量进行分析,激光粒度分析仪测试浆料粒径,差热分析仪（DTA/TG）测定样品在热反应时的特征温度和吸收或放出的热量,采用kissinger法对釉中的Zn 2 Si O 4 结晶进行热力学分析,探索结晶釉中晶体的生长机理。结果表明:采用过40 6 0目筛的煅烧氧化锌作为晶核,在1140℃下保温120 min,结晶釉中形成的晶花最大,其晶花面积达到316.54 mm 2 。随着釉料加水球磨时间的延长,结晶釉中晶体逐渐增多,且单个晶体逐渐减小。模拟热力学分析,利用不同升温速率下的DTA曲线中出现的硅酸锌的主要结晶峰的峰值温度,拟合Kissinger方程,晶体的活化能为E=245.5 k J/mol。
- Co2+掺杂Zn2SiO4结晶釉生长机理的研究
- 作者： 徐新民 江向平 傅小龙 杨帆 邵虹 熊珊 来源： 人工晶体学报 年份： 2015 文献类型 ： 期刊 关键词： JMA方程 动力学 Zn2SiO4 结晶釉
- 描述： 以高岭土、石英、钠长石、石灰石、氧化锌等矿物为原料,Zn O为晶核剂,并掺杂Co2+控温烧结Zn2Si O4结晶釉。利用X射线衍射仪(XRD)分析样品物相,白度色差计测量釉料色度(L*、a*、b*),EDS能谱仪分析样品组成含量。采用Johnson-Mehl-Avrami(JMA)方程对釉的结晶动力学进行分析,探讨釉中晶体的生长机理。结果表明:高温时Co2+置换了Zn2Si O4结晶釉中的Zn2+。随着保温时间的延长,掺杂了Co2+的Zn2Si O4晶体颗粒不断长大,在1140℃下保温170 min晶花达到最大,其晶花面积均值为410.91 mm2。模拟动力学分析,釉中晶体的Avrami指数n1100℃=0.82,n1140℃=1.23,n1180℃=1.12,表明晶体的形成由扩散机制向成核机制转变。拟合Arrhenius方程,晶体的活化能Ea=148.2 k J/mol。
- 低介低温烧结玻璃/钙长石复合绝缘材料的研究
- 作者： 顾幸勇 董伟霞 陈云霞 李月明 来源： 稀有金属材料与工程 年份： 2007 文献类型 ： 期刊 关键词： 低介电常数 CaO Al2O3玻璃/钙长石 复合材料 B2O3 SiO2 Li2O
- 描述： ,介电常数5.125,介质损耗2.48×10-3,抗折强度105.8 MPa,热膨胀系数(25～500 ℃)3.38×10-6 ℃-1.并研究了玻璃与钙长石加入量、显微结构等因素对材料性能的影响.
- Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
- 作者： 李翠云 占腊生 来源： 电子显微学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： GaN 位错 Si衬底 TEM
- 描述： 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。
- Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
- 作者： 朱华 李翠云 莫春兰 江风益 张萌 来源： 半导体学报 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： MQW 位错 Si衬底 SEM TEM
- 描述： 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.
- 22Ti-78Si高温共晶钎料对SiC陶瓷的钎焊连接
- 作者： 李家科 刘磊 刘欣 来源： 无机材料学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： 钎料 SiC陶瓷 组织结构 剪切强度 断口形貌
- 描述： 利用非自耗电弧熔融技术制备的22Ti-78Si(wt%)高温共晶钎料实现SiC陶瓷连接.采用SEM、材料试验机研究了工艺参数对钎焊接头的组织结构、强度和断口形貌的影响规律.结果表明:在钎焊温度1380~1420℃、保温时间5~20min、钎料厚度50~200μm条件下,均能实现SiC陶瓷连接,在1400℃、保温时间10min和钎料厚度100μm的条件下,SiC/22Ti-78Si/SiC接头剪切强度最大值可达125MPa.
- 无机溶胶凝胶法合成Sr_2MgSi_2O_7：Eu~（2＋）,Dy~（3＋）蓝色发光材料
- 作者： 王炳山 袁建军 刘文茂 来源： 材料热处理学报 年份： 2012 文献类型 ： 期刊 关键词： 丁二酸铵 水玻璃 柠檬酸三铵 溶胶凝胶 Sr2MgSi2O7
- 描述： 以价格低廉的水玻璃代替TEOS（正硅酸乙酯）作为硅源,分别在丁二酸铵、柠檬酸三铵辅助下,通过离子交换-溶胶凝胶法合成Sr2MgSi2O7：Eu2＋,Dy3＋蓝色发光材料。用DTA、XRD、荧光光谱等手段对材料进行分析和表征。结果表明：在丁二酸铵或柠檬酸三铵调节下,前驱体干凝胶煅烧到1100℃转变为高纯度的Sr2MgSi2O7相,其产物疏松,颗粒小,不需研磨或稍加研磨便得细粉;激发光谱在250～450 nm之间都存在一个强度较高的激发带,以柠檬酸三铵辅助得到的Sr2MgSi2O7：Eu2＋,Dy3＋蓝色发光材料发光性能较好,发射峰位于467 nm附近,余辉时间长。此外对溶胶凝胶的形成机理等进行讨论。