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- 不同衬底温度下生长的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS研究
- 作者： 张效华 辛凤 胡跃辉 陈义川 杨丰 来源： 真空科学与技术学报 年份： 2013 文献类型 ： 期刊 关键词： Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 脉冲激光沉积 薄膜 X射线光电子能谱
- 描述： :Bi,Zn,Nb,O四种元素的化学价态分别是+3,+2,+5,-2。BZN薄膜在550℃结晶,随着衬底温度升高到600℃,金属阳离子的结合能的峰位向高能方向移动,然而O1s的特征峰位也向高能方向移动,这归因于薄膜中存在的氧空位。
- 二次金属化工艺技术探索
- 作者： 蔡安富 胡镇平 陈新辉 徐宁 黄亦工 来源： 真空电子技术 年份： 2014 文献类型 ： 期刊 关键词： 封接强度 烧结Ni
- 描述： 通过对烧结Ni的改进,发现掺杂Ag的复合烧结Ni效果更好。它不会发生电镀Ni造成的Ni层起泡,以及封接强度低的问题;也能避免烧结Ni容易漏气的问题。
- 基于均匀模型的低气压电容耦合射频放电特性研究
- 作者： 王宇天 张百灵 李益文 樊昊 高岭 庄重 来源： 真空科学与技术学报 年份： 2016 文献类型 ： 期刊 关键词： 均匀模型 等离子体诊断 电子温度 电子数密度 电容耦合射频放电
- 描述： 针对磁流体流动控制技术对大体积、均匀放电等离子体的需要,开展了低气压下平板型电容耦合放电特性实验研究,并基于均匀射频放电模型,联立能量平衡方程建立诊断模型对等离子体参数进行诊断。结果表明:气压较低时,放电为α模式,整个放电空间发光较为均匀,当气压大于500 Pa时,放电转变为γ模式,在电极附近出现负辉光区,但负辉光区较厚占据了整个放电空间,随着气压增大,负辉光区、法拉第暗区厚度减小,并在放电区域中心出现明显正柱区,正柱区面积随负载功率的增大而增大;放电为γ模式时,电流将随负载功率增大而增大,而电压先不变后增大,并且转折点负载功率随着气压增大而增大;电子数密度ne随负载功率的增大线性增大,而电子温度T_e只是略有增大,约为5500 K(0.47 e V)。
- 系统级封装用陶瓷基板材料研究进展和发展趋势
- 作者： 高岭 赵东亮 来源： 真空电子技术 年份： 2016 文献类型 ： 期刊 关键词： 系统级封装 氮化铝 陶瓷基板材料 低温共烧陶瓷
- 描述： 系统级封装技术能够将不同类型的元件通过不同的技术混载于同一封装之内,是实现集成微系统封装的重要技术,在航空航天、生命科学等领域中有广阔的应用前景。陶瓷基板材料是系统级封装技术的基础材料之一。本文介绍了系统级封装技术的概念及其特点,分析几种系统级封装用陶瓷基板材料的优缺点,同时指出了陶瓷基板材料的未来发展趋势。
- 功率模块用陶瓷覆铜基板研究进展
- 作者： 赵东亮 高岭 来源： 真空电子技术 年份： 2014 文献类型 ： 期刊 关键词： 功率模块 覆铜 陶瓷基板材料 陶瓷覆铜板
- 描述： 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子领域中最重要的大功率器件,大规模应用于电动汽车、电力机车等领域。陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性,又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能,是IGBT功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。本文介绍了陶瓷覆铜板中陶瓷基板材料和覆铜技术的研究现状,并展望了陶瓷覆铜板在下一代功率模块上的应用前景。
- 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究
- 作者： 高岭 赵东亮 来源： 真空电子技术 年份： 2013 文献类型 ： 期刊 关键词： 界面空洞 直接覆铜 氮化铝陶瓷
- 描述： 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮化铝覆铜基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀性是影响界面空洞的主要因素;采用纯干氧气氛氧化氮化铝陶瓷可以在其表面形成致密氧化膜,有效减少界面空洞的产生;采用低氧含量高温氧化的方法氧化无氧铜后,有助于减少铜与氮化铝界面空洞;当氮化铝直接覆铜工艺的氧含量为5×10-4时,氮化铝覆铜基板界面空洞比例达到2%。
- p型GaN上透明电极的研究现状
- 作者： 董建新 方亮 张淑芳 高岭 孔春阳 来源： 真空科学与技术学报 年份： 2007 文献类型 ： 期刊 关键词： 透明电极 欧姆接触 GaN 透明导电膜
- 描述： GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明.
- 溶胶-凝胶法制备Li掺杂ZnO纳米薄膜及其表征
- 作者： 陈新华 胡跃辉 张效华 杨丰 陈义川 陈俊 马德福 来源： 真空科学与技术学报 年份： 2013 文献类型 ： 期刊 关键词： ZnO∶ 凝胶 厚度 薄膜 溶胶 Li
- 描述： 采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了ZnO∶ Li薄膜.研究了薄膜厚度对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明:所有薄膜均由具有c轴优先生长取向的六角纤锌矿结构的ZnO晶体构成,晶体的粒径随厚度的增加先增大而后减小；薄膜的方阻随厚度的增加先减小后增大,当薄膜厚度为6层时,可获得最低方阻；所有薄膜均是透明的,在可见光区的平均透光率＞80％；薄膜具有较强的紫外、绿光发光特性以及微弱的蓝光发光特性,随着薄膜厚度的增加,三种发光峰逐渐增强.
- 低熔、低介玻璃粉末的初步研究
- 作者： 董伟霞 包启富 顾幸勇 来源： 真空电子技术 年份： 2009 文献类型 ： 期刊 关键词： 电子技术 玻璃/钙长石/莫来石 低介电特性
- 描述： 通过玻璃组成与性能关系的设计研究,以及玻璃/钙长石/莫来石复合设计,研究了合适的玻璃相种类对复合材料的介电性能等的影响。通过比较其综合性能,初步确定出性能优良的低熔、低介玻璃粉末。