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关键词
Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
作者：
朱华
李翠云
莫春兰
江风益
张萌
来源：
半导体学报
年份：
2008
文献类型 ：
期刊
关键词：
MQW
位错
Si衬底
SEM
TEM
描述：
用透射电子显微镜对Si
衬底
生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在
衬底
和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似
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