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电子显微学报
(1)
关键词
Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
作者：
李翠云
占腊生
来源：
电子显微学报
年份：
2011
文献类型 ：
期刊
关键词：
GaN
位错
Si衬底
TEM
描述：
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si
衬底
生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与
衬底
的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si
衬底
生长的GaN与
衬底
有一定
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