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- Si衬底生长InGaN/GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析
- 作者： 朱华 李翠云 来源： 中国陶瓷 年份： 2008 文献类型 ： 期刊 关键词： 选区电子衍射花样 GaN 衬度 高分辨透射电子显微像
- 描述： 文章对Si衬底GAN基OaN/InOaN多量子阱TEM薄膜断面样品制备给予了详细介绍,并对其TEM衍射衬度像、高分辨透射电子显微像及选区电子衍射花样成像条件及其衬度进行了分析.