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- Si(100)预结构基底对Si雕塑薄膜三维模拟生长的影响
- 作者： 梁景舒 陈子毅 余梦影 江绍基 来源： 材料科学与工程学报 年份： 2011 文献类型 ： 期刊 关键词： 表面粗糙度 相对密度 雕塑薄膜 预结构 蒙特卡罗模型
- 描述： 建立一个雕塑薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模拟在PVD方法下Si在Si(100)基底上沉积的生长,考虑周期性排列预结构基底的阴影效应,模拟不同预结构单元宽度、间距及不同入射角度下斜柱状雕塑薄膜的三维形貌。结果表明,在入射角和宽度一定时,存在一个最佳间宽比值使得薄膜表面粗糙度最小;当宽度大于一定数值,粗糙度随间宽比值增大而增大。在相同预结构基底下,随入射角增大,薄膜的表面粗糙度增大;而薄膜的相对密度曲线变得平缓均匀。