Si(100)预结构基底对Si雕塑薄膜三维模拟生长的影响

日期:2011.01.01 点击数:3

【类型】期刊

【作者】梁景舒 陈子毅 余梦影 江绍基  

【刊名】材料科学与工程学报

【关键词】 表面粗糙度 相对密度 雕塑薄膜 预结构 蒙特卡罗模型

【资助项】国家自然科学基金资助项目  (60977042)

【摘要】建立一个雕塑薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模拟在PVD方法下Si在Si(100)基底上沉积的生长,考虑周期性排列预结构基底的阴影效应,模拟不同预结构单元宽度、间距及不同入射角度下斜柱状雕塑薄膜的三维形貌。结果表明,在入射角和宽度一定时,存在一个最佳间宽比值使得薄膜表面粗糙度最小;当宽度大于一定数值,粗糙度随间宽比值增大而增大。在相同预结构基底下,随入射角增大,薄膜的表面粗糙度增大;而薄膜的相对密度曲线变得平缓均匀。

【年份】2011

【期号】第6期

【页码】860-863

【作者单位】中山大学光电材料与技术国家重点实验室;中国移动通信集团

【全文挂接】获取全文

3 0
Rss订阅