首页>
根据【来源:高电压技术】搜索到相关结果 4 条
-
变电站二次系统过电压下损坏原因与对策
-
作者:
何惠青
来源:
高电压技术
年份:
2008
文献类型 :
期刊
关键词:
弱电设备
变电站
过电压防护
防雷设计
抗干扰
二次系统
-
描述:
为提高变电站通信设备和二次设备的安全性和工作可靠性,通过分析过电压侵入变电站弱电设备的途径、弱电设备遭受过电压损坏机理和现代各种防雷器件特性,分别从硬件和软件两方面提出了二次设备抗干扰措施,从安全可靠、经济合理的角度提出过电压防护方案。在常遭雷击致使二次设备损坏的景德镇大石口等变电站实施此方案后,取得了很好的防护效果。
-
低气压直流辉光放电数值模拟与实验研究
-
作者:
张百灵
王宇天
李益文
樊昊
高岭
段成铎
来源:
高电压技术
年份:
2016
文献类型 :
期刊
关键词:
正常辉光
气体放电
异常辉光
电子数密度
等离子体
阴极位降
-
描述:
为进一步探究低气压直流辉光放电机理,建立了基于局部平衡假设的2维直流辉光放电模型,研究了正常辉光向异常辉光放电的转变过程及其放电特性,并将异常辉光放电数值模拟结果与实验结果进行对比分析。结果表明,正常辉光放电时,在放电电压小幅增大的情况下,放电区域的扩大使放电电流增大,阴极位降区厚度减小,并出现明显的负辉光区。进一步增大放电电压,放电将覆盖整个阴极表面,可以明显区分出阴极位降区、负辉光区和正柱区,此时放电转变为异常辉光放电;放电电压为400 V时的阴极位降区电场强度高达3 200 V/cm。异常辉光放电、气压不变时,增大放电电压不会改变放电结构,但负辉光区的电子数密度增大使电流增大、放电增强;放电电压为400 V且气压在50~420 Pa之间时,放电电流将随气压的升高而增大。
-
基于射频放电一维模型的等离子体诊断
-
作者:
张百灵
樊昊
李益文
阳鹏宇
高岭
王宇天
来源:
高电压技术
年份:
2015
文献类型 :
期刊
关键词:
一维模型
磁流体
等离子体诊断
电导率
电子数密度
电容耦合射频放电
-
描述:
读取电压电流幅值及相位角;同轴电缆的容性作用对射频放电电路结构有很大影响;在压力P=1 500 Pa,放电频率f=6.2 MHz的静止条件下,电容耦合射频放电等离子体的电导率约为4×10-3 S/m
-
“MOA”的总装与爆炸
-
作者:
夏天三
来源:
高电压技术
年份:
1994
文献类型 :
期刊
关键词:
总装
"MOA"
爆炸
-
描述:
“MOA”爆炸的主要因素是紧固电阻片的绝缘杆受潮、在高电压作用下发热、燃烧导致的.在目前的总装配条件下即使密封得很严密,绝缘杆仍保会受潮.为确保“MOA”安全运行,提出了新的总装条件.