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用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究: 作者： 谢耀江胡跃辉肖仁贤陈光华徐海军陈义川王立富 来源： 陶瓷学报 年份： 2010 文献类型： 期刊 关键词： 非晶硅微晶硅 MWECRCVD沉积系统; 描述： 用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。

MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究: 作者： 胡跃辉阴生毅陈光华吴越颖周小明周健儿王青张文理 来源： 物理学报 年份： 2004 文献类型： 期刊 关键词： 洛伦兹拟合 a CVD系统梯度磁场 Si:H薄膜 MWECR; 描述： 分别研究了磁场线圈电流为115.2和137.7A以及137.7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法,来改变单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌.用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度.研究了磁场梯度对沉积a-Si:H薄膜性能的影响.研究表明:在衬底附近,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率;在温度不很高时,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a-Si:H薄膜.

用HW-MWECRCVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究: 作者： 王立富胡跃辉张祥文陈光华曲铭浩谢耀江 来源： 陶瓷学报 年份： 2009 文献类型： 期刊 关键词： MWECR沉积系统 氢化非晶硅薄膜均匀性 HW; 描述： 通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-Si∶H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si∶H薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECRCVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si∶H薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECRCVD系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si∶H薄膜。

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