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高岭背靠背直流50Hz和100Hz保护动作分析: 作者： 徐海军 阮思烨吕鹏飞 来源： 电力系统保护与控制 年份： 2010 文献类型： 期刊 关键词： 直流高岭 50Hz和100Hz保护背靠背; 描述： 在详细介绍50Hz和100Hz保护原理的基础上,结合高岭背靠背直流工程调试阶段出现的50Hz和100Hz保护动作情况,利用PSCAD/EMTDC数字仿真软件对高岭背靠背直流系统50Hz和100Hz保护动作情况及保护配合关系进行了深入研究,论证了保护动作的正确性。分析结果对于直流换流站现场运行维护具有一定的指导和帮助作用。

高岭换流站滤波器组同步投切技术研究: 作者： 常勇 徐海军 衣福全田忠鄂士平 来源： 华中电力 年份： 2009 文献类型： 期刊 关键词： 冲击电流背靠背换流站过电压滤波器投切过零点设备; 描述： 在介绍高岭背靠背换流站交流场滤波器配置的基础上,研究了各型滤波器最优的投切时刻。综合理论分析和现场实测数据,借助电磁暂态仿真程序PSCAD/EMTDC分析了换流站各类滤波器组投切时的不同特性,讨论了滤波器小组开关的过零点投切设备的整定问题。

用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究: 作者： 谢耀江胡跃辉肖仁贤陈光华 徐海军 陈义川王立富 来源： 陶瓷学报 年份： 2010 文献类型： 期刊 关键词： 非晶硅微晶硅 MWECRCVD沉积系统; 描述： 用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。

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