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关键词
用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究
作者: 谢耀江   胡跃辉   肖仁贤   陈光华   徐海军   陈义川   王立富   来源: 陶瓷学报 年份: 2010 文献类型 : 期刊 关键词: 非晶硅   微晶硅   MWECRCVD沉积系统  
描述: 用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103~104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。
GE OEC9800 C型臂常见故障维修
作者: 吕瑞春   来源: 中国药物经济学 年份: 2013 文献类型 : 期刊 关键词: C型臂   OEC9800   故障维修  
描述: 本文简单介绍GE OEC9800 C型臂6种故障的检修分析,总结其维修的过程与方法。
智能变电站技术体系研究
作者: 江姗   来源: 计算机光盘软件与应用 年份: 2011 文献类型 : 期刊 关键词: 体系   智能变电站   IEC61850规约  
描述: 智能变电站体系是国家智能电网的关部分,智能化是变电站发展的主流趋势。本文结合我国目前智能变电站试点工程的建设情况,主要介绍了智能变电站的功能特点,对智能变电站的体系结构进行分析,希望对我国智能变电站体系建设有所裨益。
景德镇陶瓷文化和精湛制瓷工艺APEC会议受瞩目
作者: 暂无 来源: 中国陶瓷设计 年份: 2014 文献类型 : 期刊 关键词: 领导小组   艺术陶瓷   艺术瓷   外来艺术   制瓷工艺   逸品   日用瓷   传统手工艺   APEC会议   景德镇陶瓷  
描述: 11月11日,2014年亚太经合组织领导人非正式会议在首都北京圆满落幕。此次APEC会议中,景德镇陶瓷大放异彩,由景德镇市提供的系列艺术瓷和日用瓷被会议主会场多个重点区域陈列和使用,使景德镇灿烂的陶瓷文化和精湛的制瓷工艺受到世界的高度瞩目。据了解,早在2014年8月,2014年亚太经合组织领导人非正式会议北京市筹备工作领导小组办公室给景德镇市发函,请该市为APEC领导人非正式会议主会场重点区域提供精品瓷器及部分生活日用瓷。接函后,景德镇
MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究
作者: 胡跃辉   阴生毅   陈光华   吴越颖   周小明   周健儿   王青   张文理   来源: 物理学报 年份: 2004 文献类型 : 期刊 关键词: 洛伦兹拟合   a   CVD系统   梯度磁场   Si:H薄膜   MWECR  
描述: 分别研究了磁场线圈电流为115.2和137.7A以及137.7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法,来改变单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌.用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度.研究了磁场梯度对沉积a-Si:H薄膜性能的影响.研究表明:在衬底附近,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率;在温度不很高时,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a-Si:H薄膜.
艺术无价,造假必究:宁钢教授“岁岁和合”、“岁岁平安”被假冒
作者: 瓷画馆   来源: 陶瓷研究 年份: 2015 文献类型 : 期刊 关键词:   现代陶瓷   艺术品   会议厅   平安   APEC会议   粉彩  
描述: 的风采.就在APEC会议之后,多家不法网站明目张胆的售卖着假冒宁钢教授APEC“岁岁和合”、“岁岁平安”的粉彩作品,这种严重侵犯知识产权的行为引起了宁钢本人和媒体的关注.2015年1月17日下午,对此
用HW-MWECRCVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究
作者: 王立富   胡跃辉   张祥文   陈光华   曲铭浩   谢耀江   来源: 陶瓷学报 年份: 2009 文献类型 : 期刊 关键词: MWECR沉积系统   氢化非晶硅薄膜   均匀性   HW  
描述: 通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-Si∶H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si∶H薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECRCVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si∶H薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECRCVD系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si∶H薄膜。
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