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GaAs(100)面光栅皱折的形成
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作者:
刘枝伍
曹根娣
来源:
中国激光杂志
年份:
1981
文献类型 :
期刊
关键词:
暗条纹
刻蚀技术
掩模
光致抗蚀剂
轮廓控制
图形转换
全息干涉
激光束
化学腐蚀
离子刻蚀
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描述:
使用光致抗蚀剂的全息干涉曝光、显影方法在GaAs(100)面衬底上形成光致抗蚀剂光栅图形.采用选择化学腐蚀将光致抗蚀剂光栅浮雕图形转换到GaAs(100)面衬底上.已成功地在GaAs(100)面衬底上制作了周期为0.33微米的光栅皱折.在GaAs(100)面上的光栅皱折具有良好的V-形沟槽轮廓.
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连续面形微光学元件的深刻蚀工艺
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作者:
唐雄贵
杜春雷
邱传凯
董小春
潘丽
来源:
光电工程
年份:
2003
文献类型 :
期刊
关键词:
深刻蚀
等离子刻蚀
连续面形
微光学元件
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描述:
利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀技术,在石英上刻蚀深连续面形微光学元件。分析了影响 深刻蚀工艺的烘焙条件、气体组分、自偏压和刻蚀温度等主要工艺参数,并对影响深刻蚀稳定性、均匀性、刻蚀污染与损伤等因素进行了探讨。通过实验,在石英上制作出深达55微米的浮雕微柱透镜,其面形峰值误差小于3%。
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基于硫醇-烯的微光学元件低收缩紫外压印工艺
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作者:
刘楠
金鹏
谭久彬
来源:
光电子(激光)
年份:
2012
文献类型 :
期刊
关键词:
固化收缩
硫醇
反应离子刻蚀
紫外压印
微光学元件
烯
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描述:
13%,但加工结果的收缩误差优于2%。反应离子刻蚀实验表明,通过调节刻蚀气体含量,该材料可实现连续浮雕结构的等比例图形传递。研究结果表明,应用基于硫醇-烯材料的紫外压印工艺制作连续浮雕结构微光学元件是一种行之有效的方法。
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基于移动掩模曝光的聚酰亚胺连续微结构刻蚀工艺研究
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作者:
谢玉萍
吴鹏
杨正
尹韶云
杜春雷
董连和
来源:
光子学报
年份:
2015
文献类型 :
期刊
关键词:
聚酰亚胺
微透镜
光学特性
移动掩膜曝光
各向异性
反应离子刻蚀
等比刻蚀
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描述:
为实现在聚酰亚胺薄膜上制备连续面形的微透镜结构,开发了一种薄膜光刻刻蚀的工艺方法.首先利用移动掩模曝光得到连续面形的光刻胶微浮雕结构,再通过反应离子刻蚀技术将微结构高保真度、低粗糙度地转移到PI薄膜
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锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备
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作者:
张淼
刘正堂
李阳平
郑倩
刘辉
来源:
西北工业大学学报
年份:
2010
文献类型 :
期刊
关键词:
二维亚波长结构
衍射效应
反应离子刻蚀
刻蚀深度
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描述:
为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高