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- MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究
- 作者： 胡跃辉 阴生毅 陈光华 吴越颖 周小明 周健儿 王青 张文理 来源： 物理学报 年份： 2004 文献类型 ： 期刊 关键词： 洛伦兹拟合 a CVD系统 梯度磁场 Si:H薄膜 MWECR
- 描述： 分别研究了磁场线圈电流为115.2和137.7A以及137.7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法,来改变单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌.用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度.研究了磁场梯度对沉积a-Si:H薄膜性能的影响.研究表明:在衬底附近,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率;在温度不很高时,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a-Si:H薄膜.