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- 用生长/氢等离子体交替处理堆积层表面技术制备微晶硅薄膜
- 作者： 曾涛 胡跃辉 陈光华 来源： 半导体学报 年份： 2007 文献类型 ： 期刊 关键词： 微晶硅薄膜 光电导衰退 LBL生长技术 模拟光照
- 描述： 利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导衰退率很大;当薄膜厚度为0.60～0.70μm之间时,样品兼备非晶和微晶的特点,在这一厚度范围内,光电导随薄膜厚度变化非常敏感,光电导衰退率较小;当薄膜厚度为0.80μm以上时,薄膜表现为明显的微晶硅性质,其光电导衰退率很小,通过模拟光照53.5h,其光电导几乎不变化.