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关键词
硅平面型晶体管 C-E 击穿特性曲线的一种异常现象
作者：
洪重光
陆静琦
来源：
半导体技术
年份：
1979
文献类型 ：
期刊
关键词：
界面态
内引线
实验周期
异常特性
击穿特性曲线
平面型晶体管
异常现象
加速老化
异常曲线
B矿
描述：
在对中功率开关管3DK4功率寿命试验不合格器件,进行分析的过程中,我们无意中从JT-
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图示仪所显示的C-E击穿特性曲线中,发现一种不多见的异常现象:即在一般所见的C-E击穿特性曲线上,附加一条隆起
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