硅平面型晶体管 C-E 击穿特性曲线的一种异常现象

【类型】期刊

【作者】洪重光 陆静琦 

【刊名】半导体技术

【关键词】 界面态 内引线 实验周期 异常特性 击穿特性曲线 平面型晶体管 异常现象 加速老化 异常曲线 B矿

【摘要】在对中功率开关管3DK4功率寿命试验不合格器件,进行分析的过程中,我们无意中从JT-1图示仪所显示的C-E击穿特性曲线中,发现一种不多见的异常现象:即在一般所见的C-E击穿特性曲线上,附加一条隆起的曲线,按习惯叫法称为“鼓包”。 对78年生产的正品中功率晶体管,近4万只统计结果,有所谓“鼓包”现象的,所占比例约为0.16％。为进一步揭示“鼓包”产生的原因,对器件性能的影响,我们进行了一系列试验,现将有关内容报告如下。

【年份】1979

【期号】第4期

【页码】14-29

【作者单位】景德镇三六无线电厂

【全文挂接】获取全文