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硅材料双吸杂技术的研究
作者: 程福生   叶安祚   来源: 南昌大学学报(理科版) 年份: 1988 文献类型 : 期刊 关键词: 吸杂技术   晶体   工艺步骤   电活性   二次缺陷   受主杂质   工艺流程   溶解度   微缺陷   硅材料  
描述: 引言为了提高硅材料质量,有效提取晶体中有害杂质、减少晶体中微缺陷或降低微缺陷的电活性,抑制工艺流程中难免会引入的沾污以及二次缺陷的形成,这里介绍如下一种“双重吸杂技术”,其具体工艺步骤如下:
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