硅材料双吸杂技术的研究

日期:1988.01.01 点击数:15

【类型】期刊

【作者】程福生 叶安祚 

【刊名】南昌大学学报(理科版)

【关键词】 吸杂技术 晶体 工艺步骤 电活性 二次缺陷 受主杂质 工艺流程 溶解度 微缺陷 硅材料

【摘要】引言为了提高硅材料质量,有效提取晶体中有害杂质、减少晶体中微缺陷或降低微缺陷的电活性,抑制工艺流程中难免会引入的沾污以及二次缺陷的形成,这里介绍如下一种“双重吸杂技术”,其具体工艺步骤如下:

【年份】1988

【期号】第2期

【页码】99-102

【作者单位】景德镇三六厂;江西大学物理系

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