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GaAs(100)面光栅皱折的形成
作者: 刘枝伍   曹根娣   来源: 中国激光杂志 年份: 1981 文献类型 : 期刊 关键词: 暗条纹   刻蚀技术   掩模   光致抗蚀剂   轮廓控制   图形转换   全息干涉   激光束   化学腐蚀   离子刻蚀  
描述: 使用光致抗蚀剂的全息干涉曝光、显影方法在GaAs(100)面衬底上形成光致抗蚀剂光栅图形.采用选择化学腐蚀将光致抗蚀剂光栅浮雕图形转换到GaAs(100)面衬底上.已成功地在GaAs(100)面衬底上制作了周期为0.33微米的光栅皱折.在GaAs(100)面上的光栅皱折具有良好的V-形沟槽轮廓.
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