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p型GaN上透明电极的研究现状
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作者：
董建新
方亮
张淑芳
高岭
孔春阳
来源：
真空科学与技术学报
年份：
2007
文献类型 ：
期刊
关键词：
透明电极
欧姆接触
GaN
透明导电膜
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描述：
GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明.