首页
陶瓷历史
图书
期刊
地域文化
人文轶事
旅游
高岭
饶州
浮梁
古瓷窑址
陶瓷工艺
陶瓷绘画方法
成型工艺
窑炉
烧成工艺
陶瓷先贤
唐英
郎廷极
年希尧
臧应选
唐基桐
景德文库
Open Menu
陶瓷历史
返回上一级
图书
期刊
地域文化
返回上一级
人文轶事
旅游
高岭
饶州
浮梁
古瓷窑址
陶瓷工艺
返回上一级
陶瓷绘画方法
成型工艺
窑炉
烧成工艺
陶瓷先贤
返回上一级
唐英
郎廷极
年希尧
臧应选
唐基桐
景德文库
站内检索
发现检索
全部
图书
期刊
文献类别
学位论文
会议论文
图书
期刊
报纸
图片
视频
文库
音频
选择要进行搜索的文献类别
全部字段
标题
作者
关键词
授予单位
与
或
非
全部字段
标题
作者
关键词
授予单位
与
或
非
全部字段
标题
作者
关键词
授予单位
与
或
非
全部字段
标题
作者
关键词
授予单位
与
或
非
全部字段
标题
作者
关键词
授予单位
限定年度范围：
请选择
2014年
2013年
2012年
2011年
2010年
2009年
2008年
2007年
2006年
2005年
2004年
2003年
2002年
2001年
2000年
1999年
1998年
1997年
1996年
1995年
1994年
1993年
1992年
1991年
1990年
1989年
1988年
1987年
1986年
1985年
1984年
1983年
1982年
1981年
1980年
1979年
1978年
1977年
1976年
1975年
1974年
1973年
1972年
1971年
1970年
1969年
1968年
1967年
1966年
1965年
1964年
1963年
1962年
1961年
1960年
1959年
1958年
1957年
1956年
1955年
1954年
1953年
1952年
1951年
1950年
1949年
1948年
1947年
1946年
1945年
1944年
1943年
1942年
1941年
1940年
1939年
1938年
1937年
1936年
1935年
1934年
1933年
1932年
1931年
1930年
1929年
1928年
1927年
1926年
1925年
1924年
1923年
1922年
1921年
1920年
1919年
1918年
1917年
1916年
1915年
1914年
1913年
1912年
1911年
1910年
1909年
1908年
1907年
1906年
1905年
1904年
1903年
1902年
1901年
1900年
1899年
1898年
1897年
1896年
1895年
1894年
1893年
1892年
1891年
1890年
1889年
1888年
1887年
1886年
1885年
1884年
1883年
1882年
1881年
1880年
1879年
1878年
1877年
1876年
1875年
1874年
1873年
1872年
1871年
1870年
1869年
1868年
1867年
1866年
1865年
1864年
1863年
1862年
1861年
1860年
1859年
1858年
1857年
1856年
1855年
1854年
1853年
1852年
1851年
1850年
1849年
1848年
1847年
1846年
1845年
1844年
1843年
1842年
1841年
1840年
1839年
1838年
1837年
1836年
1835年
1834年
1833年
1832年
1831年
1830年
1829年
1828年
1827年
1826年
1825年
1824年
1823年
1822年
1821年
1820年
小于1820年
至
请先选择开始年代
搜索结果显示条数：
每页显示10条
每页显示15条
每页显示30条
每页显示50条
选择搜索结果显示的条数
首页>
根据【关键词:
Si3N4
】搜索到相关结果
1
条
按文献类别分组
期刊
(6)
按栏目分组
陶瓷工艺
(5)
陶瓷历史
(1)
按年份分组
2017
(1)
2014
(1)
2010
(1)
2007
(1)
2006
(1)
1988
(1)
按来源分组
陶瓷学报
(1)
耐火材料
(1)
工业设计
(1)
工业美术新潮
(1)
工业炉
(1)
工业加热
(1)
关键词
反应烧结制备Si
3
N
4
/SiC复合材料
作者：
赵林
张玉军
谢志鹏
汪长安
来源：
陶瓷学报
年份：
2014
文献类型 ：
期刊
关键词：
原位生成
C复合材料
Si3N4/Si
反应烧结
描述：
。实验结果表明:添加40%的Si粉,烧结温度为1600℃时,烧结后Si3N4/Si C复合材料的弯曲强度和断裂韧性分别达到348 MPa和4.82 MPa·m
1
/2,主要是由于致密度的提高、原位生成Si3N4颗粒的增多以及Si3N4颗粒在Si C基体材料中的弥散增韧。
<
1
>
Rss订阅
订阅地址：
