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- 用HW-MWECRCVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究
- 作者： 王立富 胡跃辉 张祥文 陈光华 曲铭浩 谢耀江 来源： 陶瓷学报 年份： 2009 文献类型 ： 期刊 关键词： MWECR沉积系统 氢化非晶硅薄膜 均匀性 HW
- 描述： 通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-Si∶H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si∶H薄膜的结构均匀性。研究发现对于单磁场线圈MWECRCVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si∶H薄膜均匀性的主要原因。通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECRCVD系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si∶H薄膜。