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以Guglielmi模型研究脉冲电流下Ni-SiC复合电沉积
作者: 胡飞   吴坚强   黄敏   江毅   来源: 电镀与涂饰 年份: 2010 文献类型 : 期刊 关键词: 复合电沉积   脉冲电流   建模   碳化硅    
描述: ,在相同峰值电流密度下,方波脉冲电流下SiC的沉积量是其他三类脉冲电流波形的1.51倍;而当平均电流密度相同时,方波脉冲电流下SiC的沉积量是其他三类电流波形的1.06倍。分析了电流密度对基体上SiC沉积量的影响。
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