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- TTL电路的蒸发工艺技术
- 作者： 暂无 来源： 半导体技术 年份： 1977 文献类型 ： 期刊 关键词： TTL电路 蒸铝 蒸发工艺 真空蒸发 熔铝 单蒸发 密度分布 蒸发源 掺金 高宽比
- 描述： 一、概述 在TTL(晶体管—晶体管逻辑)集成电路的制造中,在一块单晶片上制成了集成电路中的晶体管、二极管和电阻等元件,在解决了它们之间的隔离问题之后,还需要按一定的要求把它们连接起来,以构成具有某一功能的电路。这种管芯内部的连接,即内引线的制作,通常是采用真空蒸发工艺,把金属铝蒸发到硅片表面,再经光刻工艺制备所需的内引线。在数字逻辑电路中,为了提高运算速度,电路设计上要进行“掺金工艺”,这种掺金方法,要求能控制其数量,并保证成批生产的均匀性和重复性,实用的掺金工艺也是先用真空蒸发的办法,在硅片背面沉积一定量的金膜,再经高温扩散到硅片内部。