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- 用BT法分析器件双线击穿的研究
- 作者： 程福生 来源： 电子工艺技术 年份： 1987 文献类型 ： 期刊 关键词： 击穿特性曲线 束缚态 主要原因 高反压 双线 高频 击穿现象 样片 浓度 器件失效
- 描述： 双线击穿的器件其性能极为不稳,也是微波管及高反压器件失效的主要原因。我们围绕着双线击穿这一课题,开展了一些工作,认定产生双线击穿的主要原因是来自SiO 2 层中的可动Na + 浓度。为此,我们采用高频C—V法BT实验,对有双线和无双线击穿的二种样片的可动Na + 浓度,分别进行了定量分析。并进一步实验论证:可动Na + 浓度只要在小于3.4×10 11 /cm 2 的情况下,双线击穿即可消除。本文为器件的双线击穿问题提供了一定的依据和有关实验方法。