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- 用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓
- 作者： 段茜 姚欣 陈铭勇 马延琴 刘世杰 唐雄贵 杜惊雷 来源： 光电工程 年份： 2006 文献类型 ： 期刊 关键词： 显影线宽 边墙陡度 显影轮廓 厚层抗蚀剂曝光模型
- 描述： 考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异。模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想。对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s。