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- 衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响
- 作者： 王何美 朱华 冯晓炜 况慧芸 王艳香 来源： 人工晶体学报 年份： 2015 文献类型 ： 期刊 关键词： ZnO∶B薄膜 光电特性 磁控溅射
- 描述： 采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征。结果表明:ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向。所有薄膜样品在420~900 nm区间内的平均透光率大于91%。随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大。衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移。