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- Cl掺杂对氧化亚铜薄膜载流子浓度及寿命的影响
- 作者： 文思逸 邹苑庄 胡飞 文圆 来源： 人工晶体学报 年份： 2015 文献类型 ： 期刊 关键词： 载流子寿命 Cu2O薄膜 电化学掺杂 光稳定性 载流子浓度
- 描述： 采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cl∶Cu 2 O薄膜,通过光电流（I-t）测试、莫特-肖特基（M-s）曲线测试、光电压衰减测试（V-t）,研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响。结果表明当p H值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜。随着CuCl 2 的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降。莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当Cu Cl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 m A/cm2（较纯氧化亚铜提高了247.6%）,载流子浓度为3.58×10 19 cm -3 （较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457%）。将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L Cu Cl 2 溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92 s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了。