两种常用外延测试方法的研究

【类型】期刊

【作者】程福生 

【刊名】半导体技术

【关键词】 测试方法

【摘要】在对外延片的测试中,常采用三探针和汞探针C-V两种方法.我们在进行比较、分析、实践的基础上,提出了为使器件生产性能稳定,尤其在高阻外延或应用场合较为严格的测试情况下,应采用汞探针C-V法为宜.

【年份】1988

【期号】第1期

【页码】52-55

【作者单位】景德镇三六厂

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