梭式氮化窑用Si3N4-SiC匣钵砖用后分析
日期:2010.01.01 点击数:12
【类型】期刊
【刊名】耐火材料
【关键词】 Si3N4 氮化 材料 反应烧结 梭式窑 SiC 匣钵砖
【摘要】利用XRD、SEM和EDAX对在梭式氮化窑中使用1年后的反应烧结Si3N4-SiC匣钵砖内外侧进行了分析.结果表明:在匣钵外侧(氧化气氛),匣钵砖表面12 mm厚的区域呈完全氧化状态,主要氧化产物是SiO2;紧随其后的12~20 mm区域呈部分氧化状态,氧化产物主要为Si2N2O及少量SiO2;20 mm以后区域无明显氧化特征.在匣钵内侧(氮气气氛),匣钵砖表面出现了约0.2 mm厚的氧化层,主要氧化产物是SiO2,该SiO2可能是由气态SiO氧化形成的,而气态SiO主要来自SiC的氧化及氮化过程中形成的气态SiO;从显微结构可以看出,SiC颗粒表面氧化明显.
【年份】2010
【期号】第4期
【作者单位】北京科技大学材料科学与工程学院;中钢集团耐火材料有限公司
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