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以氟化锆为生长助剂制备硅酸锆晶须的研究
作者: 王三海   江伟辉   冯果   刘健敏   苗立锋   王洪达   来源: 人工晶体学报 年份: 2015 文献类型 : 期刊 关键词: 生长助剂   非水解溶胶   硅酸锆晶须   氟化锆   凝胶法  
描述: 以无水四氯化锆为锆源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,氟化锂为矿化剂,乙醇为溶剂,氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法于800℃制备出硅酸锆晶须,借助XRD、SEM和TEM等测试手段研究了热处理气氛、氟化锂用量、氟化锆的引入方式等工艺因素对硅酸锆晶须形成的影响。结果表明:与空气气氛相比,氮气气氛更加有利于硅酸锆晶体的一维择优生长;矿化剂用量过多或过少均不利于晶须的形成;氟化锆以外置的方式引入能获得直径为0.2~0.4μm,长径比达15~30,沿c轴方向择优生长的硅酸锆晶须。
非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须
作者: 王三海   江伟辉   冯果   刘健敏   苗立锋   王洪达   来源: 硅酸盐学报 年份: 2015 文献类型 : 期刊 关键词: 非水解溶胶   硅酸锆   晶须   氟化锆   凝胶法  
描述: 以无水四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源、氟化锂为矿化剂、乙醇为溶剂、氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须。借助综合热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等研究了硅酸锆干凝胶在氮气气氛中热处理的物相变化以及成型压力、氟化锆用量对形成硅酸锆晶须的影响,探讨了硅酸锆晶须的形成机理。结果表明:氮气气氛下热处理并不影响硅酸锆的低温合成,成型压力过大或过小、氟化锆用量过多或过少均不利于硅酸锆晶体的一维择优生长,成型压力为2 MPa、氟化锆用量为10%(质量分数)时,硅酸锆晶须直径为0.2~0.4μm、长径比达到15~30。
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